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        新聞資訊

        FinFET等多種新結構器件的發明人——胡正明

        胡正明教授領導研究出BSIM,該數學模型于1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的國際標準;發明了在國際上極受矚目的FinFET等多種新結構器件;提出熱電子失效的物理機制,開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法,并且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法;首創了在器件可靠型物理的基礎上的IC可靠型的計算機數值模擬工具。

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